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介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀(阻抗分析儀)

時(shí)間:2024-09-10瀏覽量:0
文章詳情

  介電常數(shù)(阻抗分析儀)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。介電常數(shù)測試儀(阻抗分析儀)器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測試。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

  主要參數(shù):

  準(zhǔn)確度: Cx:±(讀數(shù)×0.5%+0.5pF);tgδ:±(讀數(shù)×0.5%+0.00005);

  電容量范圍:內(nèi)施高壓:3pF~60000pF/10kV;60pF~1μF/0.5kV;

  外施高壓:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV;

  分辨率:最高0.001pF,4位有效數(shù)字;

  介電常數(shù)ε測試范圍:0-200;

  介電常數(shù)ε準(zhǔn)確度:0.5%

  介質(zhì)損耗tgδ測試范圍:不限,

  介質(zhì)損耗tgδ分辨率:0.000001,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。

  試驗(yàn)電流范圍:5μA~5A;

  內(nèi)施高壓:設(shè)定電壓范圍:0.5~10kV ;

  最大輸出電流:200mA;

  升降壓方式:電壓隨意設(shè)置。比如5123V。

  試驗(yàn)頻率: 40-70Hz單頻隨意設(shè)置。比如48.7Hz.

  頻率精度:±0.01Hz

  外施高壓:接線時(shí)最大試驗(yàn)電流5A,工頻或變頻40-70Hz

  測量時(shí)間:約30s,與測量方式有關(guān);

  高壓電極直徑與表面積:¢98mm(75.43cm2)

  測量電極直徑與表面積: ¢50 mm(19.63cm2)

  電極材料:不銹鋼1Cr13Ni9Ti

  電極工作面:精面面磨

  電極間距:不大于5 mm

  電極加熱功率: >2*500W

  電極最高溫度:180°

  加熱時(shí)間:30分鐘

  電極壓力:0~1.0Mpa連續(xù)可調(diào)

  最大測量電壓:2000V,50Hz

  真空度 :電極可抽真空至3*10-2 Mpa

  輸入電源:180V~270VAC,50Hz±1%,市電或發(fā)電機(jī)供電

  計(jì)算機(jī)接口:標(biāo)準(zhǔn)RS232接口,U盤插口(自動(dòng)U盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù))。

  打印機(jī):微型熱敏打印機(jī)

  環(huán)境溫度:-10℃~50℃

  相對(duì)濕度:<90%

  主機(jī)外形尺寸:490*520*360(長寬高mm)

  電極尺寸:400*300*400(長寬高mm)

  儀器重量:35kg

  介質(zhì)損耗測量試驗(yàn)

  一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/strong>

  1、探討介質(zhì)極化與介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的關(guān)系;

  2、了解高頻Q表的工作原理;

  3、掌握室溫下用高頻Q表測定材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值。

  二、實(shí)驗(yàn)原理

  按照物質(zhì)電結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn),任何物質(zhì)都是由不同的電荷構(gòu)成,而在電介質(zhì)中存在原子、分子和離子等。當(dāng)固體電介質(zhì)置于電場中后會(huì)顯示出一定的極性,這個(gè)過程稱為極化。對(duì)不同的材料、溫度和頻率,各種極化過程的影響不同。

  1、介電常數(shù)(ε):某一電介質(zhì)(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量Co之比值,被稱為該電介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)。

  式中:Cx —電容器兩極板充滿介質(zhì)時(shí)的電容;

  Cο —電容器兩極板為真空時(shí)的電容;

  ε —電容量增加的倍數(shù),即相對(duì)介電常數(shù)

  介電常數(shù)的大小表示該介質(zhì)中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料,ε要小,特別是用于高壓絕緣時(shí)。在制造高電容器時(shí),則要求ε要大,特別是小型電容器。

  在絕緣技術(shù)中,特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時(shí),都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù)。此外,由于介電常數(shù)取決于極化,而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運(yùn)動(dòng)的形式。所以,通過介電常數(shù)隨電場強(qiáng)度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究,還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu)。

  2.介電損耗(tgδ):指電介質(zhì)材料在外電場作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下,介質(zhì)沒有周期性損耗,基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗;在交流電場作用下,介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外,還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉(zhuǎn)向,電介質(zhì)中的損耗要比直流電場作用時(shí)大許多(有時(shí)達(dá)到幾千倍),因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。

  在工程中,常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tgδ來表示。tgδ是絕緣體的無效消耗的能量對(duì)有效輸入的比例,它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比,是衡量材料損耗程度的物理量。

  式中:ω —電源角頻率;

  R —并聯(lián)等效交流電阻;

  C —并聯(lián)等效交流電容器

  凡是體積電阻率小的,其介電損耗就大。介質(zhì)損耗對(duì)于用在高壓裝置、高頻設(shè)備,特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義,介質(zhì)損耗過大,不僅降低整機(jī)的性能,甚至?xí)斐山^緣材料的熱擊穿。

  3、Q值:tgδ的倒數(shù)稱為品質(zhì)因素,或稱Q值。Q值大,介電損失小,說明品質(zhì)好。所以在選用電介質(zhì)前,必須首先測定它們的ε和tgδ。而這兩者的測定是分不開的。

  通常測量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種:交流電橋法和Q表測量法,其中Q表測量法在測量時(shí)由于操作與計(jì)算比較簡便而廣泛采用。本實(shí)驗(yàn)主要采用的是Q表測量法。

  4、陶瓷介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測試儀:它由穩(wěn)壓電源、高頻信號(hào)發(fā)生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標(biāo)準(zhǔn)可調(diào)電容器等組成(圖2)。工作原理如下:高頻信導(dǎo)發(fā)生器的輸出信號(hào),通過低阻抗耦合線圈將信號(hào)饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號(hào)幅度的調(diào)節(jié)是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)調(diào)節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時(shí),Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當(dāng)Vi調(diào)節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后,可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度,即可直接的讀出Q值,而不必計(jì)算。另外,電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是:如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號(hào),成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達(dá)到同樣的目的。

  三、實(shí)驗(yàn)儀器及設(shè)備

  1、儀器設(shè)備:

  (1) Q表測試儀、電感箱、樣品夾具等;

  (2) 千分游標(biāo)卡尺;

  2、樣品要求:圓形片:厚度2±0.5mm,直徑為Φ38±1mm。

  四、實(shí)驗(yàn)步驟

  1、本儀器適用于110V/220V,50Hz交流電,使用前要檢查電壓情況,以保證測試條件的穩(wěn)定。

  2、開機(jī)預(yù)熱15分鐘,使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開始測試。

  3、按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的測試樣品,兩面用特種鉛筆或?qū)щ娿y漿涂覆,使樣品兩面都各自導(dǎo)電,但南面之間不能導(dǎo)通,備用。

  4、選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率,調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時(shí)電容為C1,品質(zhì)因素為Q1。

  5、將被測樣品接在Cx接線柱上。

  6、再調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振,這時(shí)電容為C2,可以直接讀出Q2。

  7、用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個(gè)數(shù)據(jù),再取其平均值)。

  五、結(jié)果處理

  1、ε和tgδ測定記錄:

  實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按表要求填寫。

  2、計(jì)算:

  根據(jù)表格中測得的數(shù)據(jù),按公式(1)、(2)分別計(jì)算各個(gè)數(shù)值。

  六、注意事項(xiàng)

  (1) 電壓或頻率的劇烈波動(dòng)常使電橋不能達(dá)到良好的平衡,所以測定時(shí),電壓和頻率要求穩(wěn)定,電壓變動(dòng)不得大于1%,頻率變動(dòng)不得大于0.5%。

  (2) 電極與試樣的接觸情況,對(duì)tgδ的測試結(jié)果有很大影響,因此涂銀導(dǎo)電層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。

  (3) 試樣吸濕后,測得的tgδ值增大,影響測量精度,應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格避免試樣吸潮。

  (4) 在測量過程中,注意隨時(shí)電橋本體屏蔽的情況,當(dāng)電橋真正達(dá)到平衡,“本體-屏蔽”開關(guān)置于任何一邊時(shí),檢查計(jì)光帶均應(yīng)小,而無大變化。

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